Výrobca Číslo produktu:
FQI6N60CTU
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQI6N60CTU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventár:
12837361
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
K3RF
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQI6N60CTU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
FQI6
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STI4N62K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STI4N62K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDN339AN_G
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
FDPF10N50FT
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
FCH060N80-F155
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
