Výrobca Číslo produktu:
FQN1N60CTA
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQN1N60CTA-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventár:
17584 Ks Nové Originálne Na Sklade
12846864
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQN1N60CTA Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Box (TB)
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
300mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
170 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta), 3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92-3
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Základné číslo produktu
FQN1N60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
FQN1N60CTA-DG
FQN1N60CTATB
FQN1N60CTACT
FQN1N60CTADKR-DG
FQN1N60CTADKR
FQN1N60CTADKRINACTIVE
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQN1N50CTA
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3302
ČÍSLO DIELU
FQN1N50CTA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STQ1NK60ZR-AP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7349
ČÍSLO DIELU
STQ1NK60ZR-AP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
