Výrobca Číslo produktu:
FQP6N60C_F080
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQP6N60C_F080-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12849386
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQP6N60C_F080 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FQP6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AOT4N60
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
423
ČÍSLO DIELU
AOT4N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FQP6N60C
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20356
ČÍSLO DIELU
FQP6N60C-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STP4NK60Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
851
ČÍSLO DIELU
STP4NK60Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQPF19N20
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
FDBL86062-F085
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
AOT2910L
MOSFET N CH 100V 6A TO220
