Výrobca Číslo produktu:
FQPF19N20CYDTU
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQPF19N20CYDTU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventár:
12838733
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF19N20CYDTU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1080 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
43W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3 (Y-Forming)
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Základné číslo produktu
FQPF1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP13N10L
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
FQPF3N80
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
HUF75329P3
MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
