Výrobca Číslo produktu:
FQPF2N80YDTU
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQPF2N80YDTU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventár:
2144 Ks Nové Originálne Na Sklade
12848344
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF2N80YDTU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
550 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3 (Y-Forming)
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Základné číslo produktu
FQPF2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQPF2N80
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
987
ČÍSLO DIELU
FQPF2N80-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.66
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFIBE20GPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
37
ČÍSLO DIELU
IRFIBE20GPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.13
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK963R3-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
FQP34N20
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
