Výrobca Číslo produktu:
FQPF4N90
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQPF4N90-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
12930482
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF4N90 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
47W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FQPF4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
2SK3798(STA4,Q,M)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP6NK90ZFP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
875
ČÍSLO DIELU
STP6NK90ZFP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.43
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
2SK3566(STA4,Q,M)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
386
ČÍSLO DIELU
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOL1432
MOSFET N-CH 25V 12A/44A ULTRASO8
NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
NTH4L027N65S3F
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
