Výrobca Číslo produktu:
FQU13N10LTU
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQU13N10LTU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole IPAK
Inventár:
12846052
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQU13N10LTU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
520 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
FQU13N10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
70
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TSM900N10CH X0G
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TSM900N10CH X0G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DMN10H170SK3-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
252806
ČÍSLO DIELU
DMN10H170SK3-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS138N-E6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AOTF11C60PL
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
AONS66612
MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN
