Výrobca Číslo produktu:
HUF75617D3
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
HUF75617D3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 64W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
12850360
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HUF75617D3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
UltraFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
570 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
64W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
HUF75
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFU3910PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3219
ČÍSLO DIELU
IRFU3910PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.36
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
AOI8N25
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
FDMS030N06B
MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN