Výrobca Číslo produktu:
HUFA75309D3
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
HUFA75309D3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 55W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
12837632
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HUFA75309D3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
UltraFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
55W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
HUFA75
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQU17P06TU
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9839
ČÍSLO DIELU
FQU17P06TU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STD12NF06L-1
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1913
ČÍSLO DIELU
STD12NF06L-1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMC15N06
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
2SK4065-DL-1EX
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-2
FDS6572A
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
