Výrobca Číslo produktu:
IRLW630ATM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
IRLW630ATM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventár:
12835849
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLW630ATM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
755 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IRLW63
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF624SPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1814
ČÍSLO DIELU
IRF624SPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RCJ120N20TL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
33
ČÍSLO DIELU
RCJ120N20TL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFU220PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2912
ČÍSLO DIELU
IRFU220PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
FQPF6N80
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
FDD4685-F085P
MOSFET P-CH 40V 32A TO252
