RCJ120N20TL
Výrobca Číslo produktu:

RCJ120N20TL

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

RCJ120N20TL-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS

Inventár:

33 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526541
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RCJ120N20TL Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
325mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.25V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
740 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.56W (Ta), 40W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
RCJ120

Technické údaje a dokumenty

Dokumenty o spoľahlivosti
LPTS MOS Reliability Test
Zdroje návrhu
LPTSNi Inner Structure
Technické listy
RCJ120N20TL LPTS TL Taping Spec

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
RCJ120N20TLCT
RCJ120N20TLTR
RCJ120N20TLDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
rohm-semi

RDN100N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN

rohm-semi

RT1A050ZPTR

MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST

rohm-semi

RV2C001ZPT2L

MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3

rohm-semi

RJU002N06FRAT106

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3