RT1A050ZPTR

Výrobca Číslo produktu:

RT1A050ZPTR

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

RT1A050ZPTR-DG

Popis:

MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST

Podrobný popis:

P-Channel 12 V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST

Inventár:

7984 Ks Nové Originálne Na Sklade

13526544

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

RT1A050ZPTR Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

ROHM Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Not For New Designs

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

12 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

5A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

1.5V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

26mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

34 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2800 pF @ 6 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

600mW (Ta)

Prevádzková teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-TSST

Balenie / puzdro

8-SMD, Flat Lead

Základné číslo produktu

RT1A050

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

TSMT8 TR Taping Spec

Dokumenty o spoľahlivosti

TSST8 MOS Reliability Test

Zdroje návrhu

TSST8S Inner Structure

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

RT1A050ZPDKR

RT1A050ZPCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

rohm-semi

RV2C001ZPT2L

MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3

rohm-semi

RJU002N06FRAT106

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

rohm-semi

R6011ENX

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

rohm-semi

R6009JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS