Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
R6011ENX
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6011ENX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventár:
494 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526553
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6011ENX Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
670 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FM
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
R6011
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
R6011ENX
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
R6011ENXCT
R6011ENXCT-ND
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF18NM80
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
990
ČÍSLO DIELU
STF18NM80-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.55
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK11A65W,S5X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
81
ČÍSLO DIELU
TK11A65W,S5X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.50
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFP12N65X2M
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
295
ČÍSLO DIELU
IXFP12N65X2M-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.80
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
IPAW60R360P7SXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
81
ČÍSLO DIELU
IPAW60R360P7SXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.90
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF16N60M6
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1174
ČÍSLO DIELU
STF16N60M6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.11
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6009JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
RQ3E180GNTB
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
RD3G500GNTL
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
RXH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP