Výrobca Číslo produktu:
NDT02N60ZT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NDT02N60ZT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventár:
12840723
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NDT02N60ZT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
300mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
170 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223 (TO-261)
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
NDT02
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STN1HNK60
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
45248
ČÍSLO DIELU
STN1HNK60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTNS3A91PZT5G
MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
NTD4960N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
