Výrobca Číslo produktu:
NSVBC123JDXV6T1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NSVBC123JDXV6T1G-DG
Popis:
SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
Inventár:
13003524
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NSVBC123JDXV6T1G Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
2.2kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
-
Výkon - Max
357mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
SOT-563
Základné číslo produktu
NSVBC123
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
488-NSVBC123JDXV6T1GTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NSVBC143JPDXV6T1G
SS SOT563 RSTR XSTR TR
EMF4T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
EMF18T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
