Výrobca Číslo produktu:
NTD4815NHT4G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTD4815NHT4G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
12860464
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTD4815NHT4G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.9A (Ta), 35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 11.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
845 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
NTD48
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NTD4815NHT4GOSTR
NTD4815NHT4G-DG
2156-NTD4815NHT4G-ONTR-DG
=NTD4815NHT4GOSCT-DG
ONSONSNTD4815NHT4G
NTD4815NHT4GOSCT
2156-NTD4815NHT4G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PHT6NQ10T,135
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4949
ČÍSLO DIELU
PHT6NQ10T,135-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NP52N055SUG-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 52A TO252
NP100P06PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
NTMFS4937NCT3G
MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN