Výrobca Číslo produktu:
NTD4959N-35G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTD4959N-35G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventár:
12847193
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTD4959N-35G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta), 58A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 11.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 11.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1456 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Základné číslo produktu
NTD49
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD30N03S4L09ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
48073
ČÍSLO DIELU
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DMN3010LK3-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1639
ČÍSLO DIELU
DMN3010LK3-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDD8880
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13967
ČÍSLO DIELU
FDD8880-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDB86563-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
FDBL86561-F085
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
FDMC8854
MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
