Výrobca Číslo produktu:
NTJD2152PT1
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTJD2152PT1-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventár:
12841985
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTJD2152PT1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
8V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
775mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
300mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
225pF @ 8V
Výkon - Max
270mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základné číslo produktu
NTJD21
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NTJD2152PT1OS
2156-NTJD2152PT1-ONTR
ONSONSNTJD2152PT1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTMS10P02R2G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2644
ČÍSLO DIELU
NTMS10P02R2G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMFD4C87NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
NDS9943
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
NTMFD4C20NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
