Výrobca Číslo produktu:
NTMS10P02R2G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMS10P02R2G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
2644 Ks Nové Originálne Na Sklade
12857001
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMS10P02R2G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3640 pF @ 16 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
NTMS10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NTMS10P02R2GOSCT
2156-NTMS10P02R2G-OS
2832-NTMS10P02R2GTR
NTMS10P02R2GOS
NTMS10P02R2GOSDKR
NTMS10P02R2GOSTR
=NTMS10P02R2GOSCT-DG
NTMS10P02R2GOS-DG
ONSONSNTMS10P02R2G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NP88N075KUE-E1-AZ
TRANSISTOR
RFD16N05LSM
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
UPA2825T1S-E2-AT
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
