Výrobca Číslo produktu:
NTMS10P02R2
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMS10P02R2-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12857615
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMS10P02R2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3640 pF @ 16 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
NTMS10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2156-NTMS10P02R2
2156-NTMS10P02R2-ONTR-DG
NTMS10P02R2OSTR
ONSONSNTMS10P02R2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMP2022LSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
37400
ČÍSLO DIELU
DMP2022LSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NTMS10P02R2G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2644
ČÍSLO DIELU
NTMS10P02R2G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVMFS5C468NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
NVD5C668NLT4G
MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
NVMFS5C468NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
