Výrobca Číslo produktu:
NTMTS1D6N10MCTXG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMTS1D6N10MCTXG-DG
Popis:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Inventár:
2970 Ks Nové Originálne Na Sklade
12966315
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMTS1D6N10MCTXG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
36A (Ta), 273A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 650µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7630 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Ta), 291W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-DFNW (8.3x8.4)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-NTMTS1D6N10MCTXGDKR
488-NTMTS1D6N10MCTXGTR
488-NTMTS1D6N10MCTXGCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVMTS1D6N10MCTXG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9000
ČÍSLO DIELU
NVMTS1D6N10MCTXG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.04
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI5424DC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK