Výrobca Číslo produktu:
NTMYS2D2N06CLTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 185A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventár:
12857226
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMYS2D2N06CLTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
31A (Ta), 185A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 180µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4850 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK4 (5x6)
Balenie / puzdro
SOT-1023, 4-LFPAK
Základné číslo produktu
NTMYS2
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
2832-NTMYS2D2N06CLTWGTR
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
488-NTMYS2D2N06CLTWGTR
488-NTMYS2D2N06CLTWGDKR
488-NTMYS2D2N06CLTWGCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTLJS3113PTAG
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NVATS4A101PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
NTMFS4935NCT3G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
