Výrobca Číslo produktu:
NTY100N10
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTY100N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 123A TO264
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264
Inventár:
12857340
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTY100N10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
123A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10110 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
313W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-264
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
NTY100
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
2156-NTY100N10-ON
ONSONSNTY100N10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTLJS4149PTBG
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
NTB5605PT4G
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
NVMYS011N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
