Výrobca Číslo produktu:
NVD5802NT4G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVD5802NT4G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
12857258
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVD5802NT4G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16.4A (Ta), 101A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5300 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
NVD580
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2832-NVD5802NT4GTR
2156-NVD5802NT4G
ONSONSNVD5802NT4G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDD8453LZ
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
705
ČÍSLO DIELU
FDD8453LZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.83
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPD90N04S405ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9335
ČÍSLO DIELU
IPD90N04S405ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVMFS5C404NT1G
MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
NTLUS4C12NTBG
MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN
NVMFS5C612NLT1G
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
