Výrobca Číslo produktu:
NVMFS6H800NWFT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMFS6H800NWFT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventár:
12857189
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMFS6H800NWFT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Ta), 203A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 330µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5530 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základné číslo produktu
NVMFS6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
488-NVMFS6H800NWFT1GCT
488-NVMFS6H800NWFT1GTR
488-NVMFS6H800NWFT1GDKR
NVMFS6H800NWFT1G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVMFS6H800NT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
36
ČÍSLO DIELU
NVMFS6H800NT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RFG60P05E
MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
NTH027N65S3F-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
NVMFS5C450NWFT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
