RFD16N05SM9A
Výrobca Číslo produktu:

RFD16N05SM9A

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

RFD16N05SM9A-DG

Popis:

MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 50 V 16A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

8484 Ks Nové Originálne Na Sklade
12858580
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RFD16N05SM9A Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
50 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
47mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
72W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
RFD16N05

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RFD16N05SM9ADKR
RFD16N05SM9ATR
RFD16N05SM9ACT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NTD4809N-1G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

onsemi

NVMTS0D4N04CLTXG

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

renesas-electronics-america

2SK3484-AZ

MOSFET N-CH 100V 16A TO251

renesas-electronics-america

2SK3431-AZ

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB