PJD25N04_L2_00001
Výrobca Číslo produktu:

PJD25N04_L2_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJD25N04_L2_00001-DG

Popis:

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 5.9A (Ta), 21A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventár:

12973979
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PJD25N04_L2_00001 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.9A (Ta), 21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
32mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
425 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta), 25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
PJD25

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3757-PJD25N04_L2_00001TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
panjit

PJS6413_S1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

micro-commercial-components

MCU18P10-TP

MOSFET P-CH DPAK

ganpower

GPI65008DF56

GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6

panjit

PJQ5413_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M