PJD80N03_L2_00001
Výrobca Číslo produktu:

PJD80N03_L2_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJD80N03_L2_00001-DG

Popis:

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 80A (Tc) 2W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventár:

Online RFQ
12970154
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PJD80N03_L2_00001 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Ta), 80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1323 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta), 55W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
PJD80

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
PJU80N03 / PJD80N03

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3757-PJD80N03_L2_00001TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
panjit

PJD11N06A_L2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nexperia

PMH850UPEH

MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3

panjit

PJL9425_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJC7002H_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M