PJQ5423_R2_00001

Výrobca Číslo produktu:

PJQ5423_R2_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJQ5423_R2_00001-DG

Popis:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Podrobný popis:

P-Channel 30 V 11A (Ta), 60A (Tc) 2W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount DFN5060-8

Inventár:

3008 Ks Nové Originálne Na Sklade

12971095

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

PJQ5423_R2_00001 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

PANJIT

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

11A (Ta), 60A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

27 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

3228 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2W (Ta), 63W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

DFN5060-8

Balenie / puzdro

8-PowerVDFN

Základné číslo produktu

PJQ5423

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

3757-PJQ5423_R2_00001TR

3757-PJQ5423_R2_00001DKR

3757-PJQ5423_R2_00001CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

Not Applicable

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

SUD50P10-43L-BE3

MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK

panjit

PJD1NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD7NA60_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJP2NA70_T0_00001

700V N-CHANNEL MOSFET