Výrobca Číslo produktu:
BSM120D12P2C005
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
BSM120D12P2C005-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Podrobný popis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
Inventár:
13 Ks Nové Originálne Na Sklade
13523465
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSM120D12P2C005 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
Silicon Carbide (SiC)
Konfigurácia
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.7V @ 22mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
14000pF @ 10V
Výkon - Max
780W
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Balenie / puzdro
Module
Balík zariadení dodávateľa
Module
Základné číslo produktu
BSM120
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
12
Iné mená
Q7641253
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
