Výrobca Číslo produktu:
EM6J1T2R
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
EM6J1T2R-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Inventár:
12037 Ks Nové Originálne Na Sklade
13521827
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
EM6J1T2R Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
115pF @ 10V
Výkon - Max
150mW
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
EMT6
Základné číslo produktu
EM6J1
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
EM6J1T2RCT
EM6J1T2RDKR
EM6J1T2RTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EM6M1T2R
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
BSM080D12P2C008
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6