Výrobca Číslo produktu:
HP8S36TB
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
HP8S36TB-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
Inventár:
13525387
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HP8S36TB Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Technológia
-
Konfigurácia
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
27A, 80A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6100pF @ 15V
Výkon - Max
29W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-HSOP
Základné číslo produktu
HP8S36
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
HP8S36TBDKR
HP8S36TBTR
HP8S36TBCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
