Výrobca Číslo produktu:
RAL025P01TCR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RAL025P01TCR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Inventár:
13526160
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RAL025P01TCR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
-8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
320mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TUMT6
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RAL025
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RAL025P01TCRTR
RAL025P01TCRDKR
RAL025P01TCRCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RCX450N20
MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
RD3S075CNTL1
MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
RTF015P02TL
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
