Výrobca Číslo produktu:
RCJ220N25TL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RCJ220N25TL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 22A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventár:
988 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525735
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RCJ220N25TL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.56W (Ta), 40W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
RCJ220
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
RCJ220N25TLDKR
RCJ220N25TLCT
RCJ220N25TLTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTA30N25L2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTA30N25L2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.55
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTA36N30P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1630
ČÍSLO DIELU
IXTA36N30P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.26
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RSF010P03TL
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
RSJ10HN06TL
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
RS1E130GNTB
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
