Výrobca Číslo produktu:
IXTA30N25L2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTA30N25L2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 30A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 30A (Tc) 355W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
13270899
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTA30N25L2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Linear L2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
355W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXTA30
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
238-IXTA30N25L2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RCJ220N25TL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
988
ČÍSLO DIELU
RCJ220N25TL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFP16N85XM
IXFP16N85XM
IXTQ60N20T
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
IXFA3N120-TRR
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263