Výrobca Číslo produktu:
RD3G07BATTL1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RD3G07BATTL1-DG
Popis:
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 70A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventár:
10030 Ks Nové Originálne Na Sklade
12948890
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RD3G07BATTL1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5550 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
101W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
RD3G07
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
846-RD3G07BATTL1TR
846-RD3G07BATTL1DKR
846-RD3G07BATTL1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RF4G060ATTCR
PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
RQ7L050ATTCR
PCH -60V -5A SMALL SIGNAL POWER
RD3L01BATTL1
PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3