Výrobca Číslo produktu:
RD3P100SNFRATL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RD3P100SNFRATL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventár:
284 Ks Nové Originálne Na Sklade
13527371
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RD3P100SNFRATL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
133mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
20W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
RD3P100
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RD3P100SNFRATLDKR
RD3P100SNFRATLCT
RD3P100SNFRATLTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SCT3080KLGC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
RD3L150SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
R6025JNZC8
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
