Výrobca Číslo produktu:
RQ3E075ATTB
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RQ3E075ATTB-DG
Popis:
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventár:
4689 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525655
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RQ3E075ATTB Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
930 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
15W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-HSMT (3.2x3)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
RQ3E075
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RQ3E075ATTBDKR
RQ3E075ATTBCT
RQ3E075ATTBTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RSS090P03FU7TB
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
RSS105N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOP
RHP030N03T100
MOSFET N-CH 30V 3A MPT3
