Výrobca Číslo produktu:
RSS105N03FU6TB
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RSS105N03FU6TB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 10.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventár:
13525663
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RSS105N03FU6TB Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (max.)
20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1130 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
RSS105
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMS3015SSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
44403
ČÍSLO DIELU
DMS3015SSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF8113TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1665
ČÍSLO DIELU
IRF8113TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RHP030N03T100
MOSFET N-CH 30V 3A MPT3
RQ6E045RPTR
MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
RCJ081N20TL
MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
