Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
RS1E281BNTB1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RS1E281BNTB1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Inventár:
940 Ks Nové Originálne Na Sklade
13524284
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RS1E281BNTB1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Ta), 80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5100 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-HSOP
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
RS1E
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
RS1E281BNTB1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RS1E281BNTB1DKR
RS1E281BNTB1TR
RS1E281BNTB1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSZ0501NSIATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10000
ČÍSLO DIELU
BSZ0501NSIATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
BSC020N03MSGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
32523
ČÍSLO DIELU
BSC020N03MSGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DMT32M5LPS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7475
ČÍSLO DIELU
DMT32M5LPS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
CSD17576Q5BT
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
477
ČÍSLO DIELU
CSD17576Q5BT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
BSC0901NSATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
32490
ČÍSLO DIELU
BSC0901NSATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.45
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RDX120N50FU6
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FM
R8005ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
RQ6E030ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RD3L140SPFRATL
MOSFET P-CH 60V 14A TO252