Výrobca Číslo produktu:
RTM002P02T2L
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RTM002P02T2L-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventár:
21852 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526431
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RTM002P02T2L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
VMT3
Balenie / puzdro
SOT-723
Základné číslo produktu
RTM002
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RTM002P02T2LDKR
RTM002P02T2LCT
RTM002P02T2LTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTK3139PT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
86189
ČÍSLO DIELU
NTK3139PT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NTE4151PT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
26703
ČÍSLO DIELU
NTE4151PT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RW1C025ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
RQ6E035TNTR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
