Výrobca Číslo produktu:
RUE003N02TL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RUE003N02TL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Inventár:
82653 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526630
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RUE003N02TL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
300mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
25 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
EMT3
Balenie / puzdro
SC-75, SOT-416
Základné číslo produktu
RUE003
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RUE003N02TLTR
Q6107914
RUE003N02TLDKR
RUE003N02TLCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMG1012T-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
435659
ČÍSLO DIELU
DMG1012T-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SSM3K36FS,LF
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
234
ČÍSLO DIELU
SSM3K36FS,LF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDY301NZ
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
312
ČÍSLO DIELU
FDY301NZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SCT3120ALHRC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
RUF025N02FRATL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
R6003KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
