Výrobca Číslo produktu:
RW1A025APT2CR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RW1A025APT2CR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventár:
2465 Ks Nové Originálne Na Sklade
13080606
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RW1A025APT2CR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
-8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-WEMT
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RW1A025
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RW1A025APT2CRDKR
846-RW1A025APT2CRTR
RW1A025APT2CRTR
RW1A025APT2CRCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RV5A040APTCR1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
RV5A040APTCR1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SSM6J216FE,LF
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
800
ČÍSLO DIELU
SSM6J216FE,LF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RS1E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
RW1E015RPT2R
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
RW1E014SNT2R
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
