Výrobca Číslo produktu:
RW4E075AJTCL1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RW4E075AJTCL1-DG
Popis:
NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 7.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount DFN1616-7T
Inventár:
2552 Ks Nové Originálne Na Sklade
12976067
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RW4E075AJTCL1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 2mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
720 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DFN1616-7T
Balenie / puzdro
6-PowerUFDFN
Základné číslo produktu
RW4E075
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
846-RW4E075AJTCL1DKR
846-RW4E075AJTCL1CT
846-RW4E075AJTCL1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RW4E075AJTCL1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2552
ČÍSLO DIELU
RW4E075AJTCL1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.39
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RQ3E180AJTB1
NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
RS3L140GNGZETB
NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14
RS1E350BNTB1
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35