Výrobca Číslo produktu:
RZF013P01TL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RZF013P01TL-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Inventár:
4924 Ks Nové Originálne Na Sklade
13524345
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RZF013P01TL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
290 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TUMT3
Balenie / puzdro
3-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RZF013
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RZF013P01TLCT
RZF013P01TLTR
RZF013P01TLDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RS1E280BNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
RQ5E035BNTCL
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
RP1E090RPTR
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
