Výrobca Číslo produktu:
IRF640FP
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
IRF640FP-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventár:
12876634
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF640FP Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MESH OVERLAY™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1560 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IRF6
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQPF19N20C
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
783
ČÍSLO DIELU
FQPF19N20C-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FQPF19N20
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15905
ČÍSLO DIELU
FQPF19N20-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.01
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFI640GPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1352
ČÍSLO DIELU
IRFI640GPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.95
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STS5PF30L
MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
STB10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
IRF520
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
