Výrobca Číslo produktu:
SCT20N120H
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
SCT20N120H-DG
Popis:
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventár:
12945620
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SCT20N120H Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
20V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
650 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
175W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
H2PAK-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SCT20
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-SCT20N120HCT
SCT20N120H-DG
497-SCT20N120HTR
497-SCT20N120HDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
G3R75MT12K
VÝROBCA
GeneSiC Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
897
ČÍSLO DIELU
G3R75MT12K-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.41
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SCT3160KLGC11
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2223
ČÍSLO DIELU
SCT3160KLGC11-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.38
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
STP20N60M2-EP
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
STP9NK70ZFP
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
