Výrobca Číslo produktu:

SCT30N120D2

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

SCT30N120D2-DG

Popis:

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

Podrobný popis:

N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™

Inventár:

Online RFQ

12875915

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

SCT30N120D2 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

STMicroelectronics

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

SiCFET (Silicon Carbide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

1200 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

40A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

20V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

100mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

105 nC @ 20 V

Vgs (max.)

+25V, -10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1700 pF @ 400 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

270W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 200°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

HiP247™

Balenie / puzdro

TO-247-3

Základné číslo produktu

SCT30

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

490

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

stmicroelectronics

STP18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A TO220

stmicroelectronics

STI32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK

stmicroelectronics

STH52N10LF3-2AG

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

STU6N60DM2

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK