Výrobca Číslo produktu:
SCTW90N65G2V
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
SCTW90N65G2V-DG
Popis:
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventár:
2 Ks Nové Originálne Na Sklade
12880909
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SCTW90N65G2V Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3300 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
390W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
HiP247™
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SCTW90
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
497-18351
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
MSC015SMA070B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
497
ČÍSLO DIELU
MSC015SMA070B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
24.79
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SCT3022ALGC11
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1695
ČÍSLO DIELU
SCT3022ALGC11-DG
CENA ZA JEDNOTKU
36.29
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF3LN80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
STI6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
STB9NK60ZDT4
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
