Výrobca Číslo produktu:
STB12NM50FDT4
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB12NM50FDT4-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12948743
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB12NM50FDT4 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
FDmesh™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
160W (Tc)
Prevádzková teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB12N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-5380-6
STB12NM50FDT4-DG
497-5380-2
497-5380-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFS11N50APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
417
ČÍSLO DIELU
IRFS11N50APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.22
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB12NM50T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB12NM50T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.99
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFA16N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFA16N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.03
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFI9530GPBF
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
C3M0032120J1
1200V 32MOHM SIC MOSFET
E3M0120090J
900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
